高k栅介质材料与器件集成

第1章 绪论
1.1 引言
1.2 集成电路发展及趋势
1.2.1 集成电路的介绍
1.2.2 集成电路的现状
1.2.3 集成电路的发展趋势
1.2.4 我国集成电路产业前景展望
1.3 后摩尔时代新材料、新技术及新挑战
1.3.1 工艺新材料
1.3.2 新器件结构
1.3.3 工艺新技术
1.3.4 后摩尔时代集成电路展望与挑战
课后习题
参考文献
第2章 高κ栅介质的物理基础
2.1 高κ栅介质的基本概念及优势
2.1.1 高κ栅介质的引入
2.1.2 高κ栅介质的优势
2.2 高κ栅介质的结构调控及理论机制
2.2.1 高κ栅介质的MOS电容结构
2.2.2 高κ栅介质的理论机制
2.3 高κ栅介质的选择要求
2.4 高κ栅介质的分类及特点
2.4.1 硅的氮（氧）化物及其特点
2.4.2 ⅢA族金属氧化物
2.4.3 ⅣB族和ⅤB族过渡金属氧化物
2.4.4 ⅢB族稀土金属氧化物
2.5 高κ栅介质面临的问题和挑战
课后习题
参考文献
第3章 高κ栅介质的制备及表征
3.1 高κ栅介质材料的制备
3.1.1 真空蒸镀法
3.1.2 磁控溅射法
3.1.3 原子层沉积法
3.1.4 分子束外延法
3.1.5 脉冲激光沉积法
3.1.6 溶液基制备方法
3.2 高κ柵介质性能的表征
3.2.1 光学性能的表征
3.2.2 热重性能的表征
3.2.3 结晶性能的表征
3.2.4 化学局域态的表征
3.2.5 表面形貌的表征
3.2.6 界面微结构的表征
3.2.7 润湿性能的表征
课后习题
参考文献
第4章 稀土基高κ栅介质及MOS器件集成
4.1 稀土简介