宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践

第1章 空间辐射环境与基本辐射效应
1.1 空间辐射环境
1.1.1 太阳宇宙射线
1.1.2 银河宇宙射线
1.1.3 地球俘获带
1.2 基本辐射效应
1.2.1 位移损伤效应
1.2.2 总剂量效应
1.2.3 单粒子效应
1.3 单粒子辐射加固功率MOSFET器件面临的挑战
1.3.1 航天应用对功率MOSFET器件的可靠性要求
1.3.2 航天应用对功率MOSFET器件的抗辐射要求
本章参考文献
第2章 宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型
2.1 重离子与材料的相互作用
2.1.1 重离子在材料中的能量损失
2.1.2 重离子在材料中的射程
2.2 宇航MOSFET器件物理
2.2.1 宇航VDMOS器件的基本器件结构
2.2.2 宇航VDMOS器件静态参数
2.2.3 宇航VDMOS器件动态参数
2.2.4 宇航VDMOS器件极限参数
2.3 宇航MOSFET器件的单粒子辐射效应
2.3.1 功率MOSFET的SEB效应
2.3.2 功率MOSFET的SEGR效应
2.3.3 功率MOSFET的SEB致SEGR效应
2.4 宇航MOSFET器件的单粒子辐射损伤模型
2.4.1 描述单粒子效应的几个重要概念
2.4.2 功率MOSFET器件单粒子辐射效应的影响因素
2.4.3 功率MOSFET的SEB损伤模型
2.4.4 功率MOSFET的SEGR损伤模型
本章参考文献
第3章 宇航 MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术
3.1 抗单粒子辐射加固整体思路
3.2 屏蔽技术
3.3 复合技术
3.3.1 局部高掺杂技术
3.3.2 异质材料界面技术
3.3.3 重金属复合中心技术
3.4 增强技术
3.4.1 栅介质增强技术
3.4.2 寄生三极管触发阈值提升技术
3.4.3 两种功率MOSFET器件新结构对比分析
本章参考文献
第4章 宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验
4.1 宇航MOSFET器件的应用说明
4.2 MOSFET器件测试技术
4.2.1 电参数测试
4.2.2 安全工作区
4.2.3 宇航 MOSFET的破坏机理和对策