CHAPTER 1 The Crystal Structure of Solids 固体的晶体结构
1.0 PREVIEW 概览
1.1 SEMICONDUCTOR MATERIALS 半导体材料
1.2 TYPES OF SOLIDS 固体类型
1.3 SPACE LATTICES 空间点阵
1.3.1 Primitive and Unit Cell 原胞与晶胞
1.3.2 Basic Crystal Structures 基本晶体结构
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 晶面和米勒指数
1.3.4 The Diamond Structure 金刚石结构
1.4 ATOMIC BONDING 原子价键
1.5 IMPERFECTIONS AND IMPURITIES IN SOLIDS 固体中的缺陷和杂质
1.5.1 Imperfections in Solids 固体缺陷
1.5.2 Impurities in Solids 固体中的杂质
1.6 GROWTH OF SEMICONDUCTOR MATERIALS 半导体材料生长
1.6.1 Growth from a Melt 熔体生长
1.6.2 Epitaxial Growth 外延生长
1.7 DEVICE FABRICATION TECHNIQUES: OXIDATION 器件制备技术：氧化
1.8 SUMMARY 小结
PROBLEMS 习题
CHAPTER 2 Theory of Solids 固体理论
2.0 PREVIEW 概览
2.1 PRINCIPLES OF QUANTUM MECHANICS 量子力学的基本原理
2.1.1 Energy Quanta 能量子
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 波粒二象性
2.2 ENERGY QUANTIZATION AND PROBABILITY CONCEPTS 能量量子化和概率
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 波函数的物理意义
2.2.2 The One-Electron Atom 单电子原子
2.2.3 Periodic Table 元素周期表
2.3 ENERGY-BAND THEORY 能带理论
2.3.1 Formation of Energy Bands 能带的形成
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 能带与价键模型
2.3.3 Charge Carriers—Electrons and Holes 载流子——电子和空穴
2.3.4 Effective Mass 有效质量
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 金属、 缘体和半导体
2.3.6 The k-Space Diagram k 空间能带图
2.4 DENSITY OF STATES FUNCTION 态密度函数
2.5 STATISTICAL MECHANICS 统计力学
2.5.1 Statistical Laws 统计规律
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function and the Fermi Energy 费米-狄拉克分布和费米能级
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 麦克斯韦-玻尔兹曼近似
2.6 SUMMARY 小结
PROBLEMS 习题
CHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium 平衡半导体
3.0 PREVIEW 概览
3.1 CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 半导体中的载流子
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 电子和空穴的平衡分布
3.1.2 The n0 and p0 Equations 平衡电子和空穴浓度方程
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 本征载流子浓度
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 本征费米能级的位置
3.2 DOPANT ATOMS AND ENERGY LEVELS 掺杂原子与能级
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