1 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料简介
1.2.1 纳米材料概述
1.2.2 纳米材料的特性
1.3 GaN材料性质
1.3.1 物理性质
1.3.2 化学性质
1.3.3 电学性质
1.3.4 光学性质
1.4 GaN纳米线的合成方法
1.4.1 分子束外延法
1.4.2 金属有机化学气相沉积法
1.4.3 氢化物输运气相外延生长法
1.4.4 模板限制生长法
1.4.5 激光烧蚀法
1.4.6 氧化物辅助生长法
1.4.7 化学气相沉积法
1.4.8 溶胶-凝胶法
1.5 纳米线的生长机制
1.5.1 气-液-固机制
1.5.2 气-固机制
1.6 场发射简介
1.6.1 功函数
1.6.2 场增强因子
1.6.3 场发射阴极材料研究进展
1.7 GaN纳米材料研究进展
1.7.1 GaN材料实验研究进展
1.7.2 GaN材料理论研究进展
1.7.3 GaN纳米材料场发射研究进展
1.8 GaN纳米材料表征与性能测试
1.8.1 扫描电子显微镜
1.8.2 X射线衍射
1.8.3 透射电子显微镜和选区电子衍射
1.8.4 光致发光谱
1.8.5 X射线光电子能谱技术
参考文献
2 塔形和铅笔形GaN纳米线的制备及性能
2.1 引言
2.2 塔形GaN纳米线的制备
2.2.1 塔形GaN纳米线的制备过程
2.2.2 工艺条件对制备塔形GaN纳米线的影响
2.2.3 塔形GaN纳米线XRD表征
2.2.4 塔形GaN纳米线SEM表征
2.2.5 塔形GaN纳米线TEM表征
2.2.6 塔形GaN纳米线生长机理分析
2.3 塔形GaN纳米线性能测试
2.3.1 塔形GaN纳米线光致发光谱分析
2.3.2 塔形GaN纳米线拉曼光谱分析
2.3.3 塔形GaN纳米线场发射性能分析
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