第1章 绪论
1.1 半导体集成电路的概念
1.1.1 半导体集成电路的基本概念
1.1.2 半导体集成电路的分类
1.2 半导体集成电路的发展过程
1.3 半导体集成电路的发展规律
1.4 半导体集成电路面临的问题
1.4.1 深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战
1.4.2 深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战
1.4.3 深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战
技术拓展:Chiplet(芯粒)
基础习题
高阶习题
第2章 双极集成电路中的元件形成及其寄生效应
2.1 双极集成电路的制造工艺
2.1.1 双极型晶体管的单管结构和工作原理
2.1.2 双极集成晶体管的结构与制造工艺
2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应
技术拓展:BCD工艺
基础习题
高阶习题
第3章 MOS集成电路中晶体管的形成及其寄生效应
3.1 MOSFET晶体管的结构及制造工艺
3.1.1 MOSFET晶体管器件结构与工作原理
3.1.2 MOSFET晶体管的制造工艺
3.2 CMOS集成电路的制造工艺
3.2.1 n阱CMOS工艺
3.2.2 p阱CMOS工艺
3.2.3 双阱CMOS工艺
3.3 MOS集成电路中的有源寄生效应
3.3.1 场区寄生MOSFET
3.3.2 寄生双极型晶体管
3.3.3 CMOS集成电路中的闩锁效应
3.4 深亚微米CMOS集成电路工艺
技术拓展: 缘体上硅技术
基础习题
高阶习题
第4章 集成电路中的无源元件
4.1 集成电阻器
4.1.1 双极集成电路中常用的电阻
4.1.2 MOS集成电路中常用的电阻
4.2 集成电容器
4.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器
4.2.2 MOS集成电路中常用的电容器
4.3 互连线
4.3.1 多晶硅互连线
4.3.2 扩散层连线
4.3.3 金属互连线
技术拓展:修调技术
基础习题