二氧化硅低维微：纳米材料的掺杂及其光学性能

1 绪论
1.1 纳米材料的研究前景与发展现状
1.2 Si纳米材料的性质与结构
1.2.1 Si纳米材料的特性
1.2.2 Si纳米材料的应用及影响
1.3 SiO2纳米材料简介
1.3.1 纳米二氧化硅的物理、光学和化学特性
1.3.2 SiO2纳米材料的应用
1.4 稀土掺杂纳米材料的研究背景
1.4.1 无机材料的稀土掺杂
1.4.2 稀土掺杂领域的应用
1.4.3 稀土元素掺杂SiO2纳米材料的研究背景
1.5 二氧化硅基体及掺杂常用的制备方法
1.5.1 二氧化硅的制备
1.5.2 掺杂方法
1.6 一维硅基微纳米材料的生长机理
1.6.1 VLS生长机理
1.6.2 VS生长机理
1.6.3 氧化物辅助生长机理
2 实验材料、设备与表征手段
2.1 实验材料及设备
2.1.1 材料
2.1.2 设备
2.1.3 制备
2.2 表征测试
2.2.1 扫描电子显微镜
2.2.2 能谱
2.2.3 X射线衍射谱
2.2.4 拉曼光谱
2.2.5 紫外-可见吸收光谱
2.2.6 光致发光光谱
3 稀土掺杂二氧化硅低维材料的制备及性能
3.1 Ce3+掺杂SiO2微/纳米材料及发光性能
3.1.1 引言
3.1.2 实验
3.1.3 结果和讨论
3.1.4 小结
3.2 Tb3+掺杂SiO2微/纳米材料及发光性能
3.2.1 引言
3.2.2 实验
3.2.3 结果和讨论
3.2.4 小结
3.3 Sm3+掺杂SiO2微/纳米材料及发光性能
3.3.1 引言
3.3.2 5%Sm3+掺杂制备SiO2纳/微米材料
3.3.3 8%Sm3+掺杂制备SiO2纳/微米材料
3.3.4 小结
3.4 Eu3+掺杂SiO2微/纳米线及发光性能
3.4.1 引言
3.4.2 实验