掺杂GaN纳米线制备技术

1 绪论
1.1 纳米材料概述
1.2 GaN材料概述
1.2.1 物理性质
1.2.2 化学性质
1.2.3 电学性质
1.2.4 光学特性
1.3 GaN纳米线的合成方法
1.3.1 分子束外延法
1.3.2 金属有机化学气相沉积法
1.3.3 氢化物输运气相外延生长法
1.3.4 模板限制生长法
1.3.5 激光烧蚀法
1.3.6 氧化物辅助生长法
1.3.7 化学气相沉积法
1.3.8 溶胶-凝胶法
1.4 纳米线的生长机制
1.4.1 气-液-固机制
1.4.2 气-固机制
1.4.3 GaN纳米线表征与性能测试方法
1.5 场发射理论
1.5.1 经典F-N理论
1.5.2 半导体场致电子发射
1.5.3 相关概念
参考文献
2 P掺杂GaN纳米线的制备及性能
2.1 实验原料
2.2 衬底的处理
2.3 实验步骤及形貌分析
2.3.1 基本实验步骤
2.3.2 不同氨化温度对P掺杂GaN纳米线形貌的影响
2.3.3 不同氨化时间对P掺杂GaN纳米线形貌的影响
2.3.4 不同氨气流量对P掺杂GaN纳米线形貌的影响
2.3.5 不同浓度P掺杂对GaN纳米线形貌的影响
2.4 P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.4.1 纯净GaN纳米线的物相分析
2.4.2 掺杂源比例为1：30的P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.4.3 掺杂质量比为1：20的P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.4.4 掺杂质量比为1：10的P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.5 P掺杂GaN纳米线的性能
2.6 P掺杂GaN纳米的生长机制分析
参考文献
3 Te掺杂GaN纳米线的制备及性能
3.1 实验方法及设备
3.2 实验过程
3.3 样品的表征与分析
3.3.1 样品的表征方法
3.3.2 GazOg和Te质量比对纳米线的影响
3.3.3 反应温度对纳米线的影响
3.3.4 Te掺杂GaN纳米线的Raman分析