绝缘层表面能对有机晶体管迁移率的调控分析及应用

1 绪论
1.1 场效应晶体管简介
1.1.1 场效应晶体管的基本原理
1.1.2 场效应晶体管的基本参数
1.1.3 场效应晶体管的基本构型
1.1.4 有机场效应晶体管的优势
1.1.5 有机场效应晶体管的发展现状
1.2 有机薄膜场效应晶体管
1.2.1 有机薄膜场效应晶体管的优势
1.2.2 有机薄膜的制备方法
1.2.3 有机薄膜场效应晶体管的制备方法和发展现状
1.3 有机单晶场效应晶体管
1.3.1 有机单晶场效应晶体管的优势
1.3.2 有机单晶的生长方法
1.3.3 有机单晶场效应晶体管的制备方法和发展现状
1.4 半导体/ 缘层的界面性质对有机场效应晶体管性能的影响
1.4.1 有机场效应晶体管中的界面工程
1.4.2 缘层的性质对有机场效应晶体管性能的影响
1.4.3 缘层的表面能对有机场效应晶体管性能的影响
参考文献
2 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析
2.1 Ph5T2单晶的生长及表征
2.1.1 Ph5T2单晶的生长
2.1.2 Ph5T2单晶的表征
2.2 缘层的制备及表征
2.2.1 缘层的选择及制备
2.2.2 缘层的表征
2.3 缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响
2.3.1 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及表征
2.3.2 Ph5T2材料表面能的计算及选取
2.3.3 缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响
2.3.4 半导体和 缘层表面能及其分量匹配提高迁移率的机理分析
2.4 本章小结
参考文献
3 表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论
3.1 并五苯单晶场效应晶体管
3.1.1 并五苯单晶的生长及表征
3.1.2 并五苯单晶场效应晶体管的制备及表征
3.1.3 并五苯表面能的计算及选取
3.1.4 缘层表面能对并五苯单晶场效应晶体管器件性能的影响
3.2 酞菁锌单晶场效应晶体管
3.2.1 酞菁锌单晶的生长及表征
3.2.2 酞菁锌单晶场效应晶体管的制备及表征
3.2.3 酞菁锌表面能的计算及选取
3.2.4 缘层表面能对酞菁锌单晶场效应晶体管器件性能的影响
3.3 表面能及其分量匹配与其他实验结论的兼容
3.4 不同半导体和 缘层表面能的汇总
3.5 本章小结
参考文献
4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备