“进入本世纪以来，电气通信界凭借真空管的巨大进步获得了发展。但是，随着时间的推移，真空管的设计、制作上所取得的进步已经逐渐接近极限。时至今日，反而可以说，真空管已经成为阻止电气通信行业飞越发展的障碍。就在这样的时期，超越了真空管极限横空出世的，就是我们接下来要讲到的叫做晶体管的半导体增幅器。”

这是1953年12月1日，我28岁那年在大阪中央电气俱乐部参与电气通信学会主办的专业讲习会时的演讲记录。

1948年，听闻晶体管诞生的消息，我毫不迟疑地放弃了真空管的研究，转向更有发展前途的硅锗半导体方向。我坚信，只要能开拓新研究领域，即使是二流的学者也能写出一流的论文。这一点，在企业里应该也是相同的吧。二流的经营者也愿意开拓新领域以求企业生存。面对有限的市场，争夺战总是非此即彼，没有失败者，胜利者也就无从产生，但进入更大的新领域中，参加者却有可能都成为胜利者。

我第一次听说硅二极管还要回溯到学生时代，东大的熊谷宽夫教授在课外讲义上曾提到战争时期的经验。原来先生在调查被击落的B–29轰炸机时，发现轰炸机的雷达是在10厘米的微波波段工作的，经检查，用的就是硅二极管。

不管那么多了，我先拜托神户工业同一科室中负责材料的藤森明先生和前川俊一先生制作了硅结晶，开始测试其整流性和电气特性。

也就是在那会儿，神户工业和美国RCA公司签署了技术引进合同，开始了交流合作。赶赴美国的上司有助彻弥回国时带来了高纯度的锗单结晶，要我用在研究中。这块锗单结晶直径2厘米，高4厘米，呈现铃铛的形状，闪烁着优雅青涩的金黄色光泽，我拿在手中，仿佛手捧宝石。谈论之际，我被告知：“所谓半导体就是这种东西。”我随即埋头研究起来，1953年，我撰写完成的论文《锗的热处理》，刊登在美国物理学会志的《物理评论》（Physical Review）上，我也终于得以忝居末座，加入到世界半导体研究者的行列中来。