对半导体施加电压，只要超过一定界限，就会产生绝缘破坏（breakdown），届时电流会迅速涌入。长年以来，围绕这一现象一直争论不绝，我也因此极为关注。

1934年，美国物理学者齐纳（Zener）通过量子力学的隧道效应，对绝缘破坏展开了精彩的理论建构。但是，现实中的绝缘破坏是由电子雪崩现象产生的，与隧道效应并无关系。齐纳所提出的理论属于典型的“创造性失败”（Creative failure），最后以失败告终。

1951年，晶体管的发明者，包括肖克利（Shockley）在内的美国贝尔研究所的研究人员发表了新的研究报告。其结论是，某一种类的锗二极管可以如齐纳理论所指，产生绝缘破坏。

只是，此后的详细研究表明，即使是这种情形，实际上也是雪崩现象造成的，而非齐纳所说的隧道效应。贝尔研究所的著名学者们，结果也只是为齐纳的“创造性失败”进行了最后的粉饰而已。

没想到的是，在这一系列的事态发展中，我的研究信心竟然明确地树立起来。其实，早在神户工业的时代，我就对隧道电流的观测抱有一种使命感，终于在31岁这年，为了追寻这“探寻隧道的旅程”，从神户来到了东京。

古希腊顶尖的自然哲学家德谟克利特一语道破天机：“宇宙中的一切存在都是偶然和必然结合的产物。”曾有报道说，江崎二极管纯粹是偶然的产物，但正如此处所记，在江崎二极管的诞生过程中，偶然与必然可谓如影随形，缺一不可。

我用自己的方法把PN结合层逐渐做薄，正如预期的，其顺向特性没有发生什么变化，但逆向的耐电压却不断降低，这样一来，逆向就比顺向更容易产生电流，前所未闻的新二极管就此诞生。我给它取名为“逆向二极管”（Backward Diode）。毫无疑问，齐纳理论在这里得到了运用，我也终于确信观测到了隧道电流。

到此为止是“必然”的产物与结果，机遇女神的现身却是在此之后。

1957年，7月盛夏的一天，酷热使得研究室里的冷气都不管用了。没办法，我们只好把逆向二极管放入零下80度的槽中，此时观测顺向的隧道电流发现，所施加的电压越高，电流就变得越小，这就是所谓“负性抵抗”，也是发现江崎二极管的开端。仔细想来，这是种理所当然的特性，只不过在制订研究计划时没能想到而已。负性抵抗在应用层面上有着很高的价值。与通常的二极管不同，会产生振荡、增幅、开关的功能。此外，因为是隧道电流，所以是超高速运作。也就是说，迄今为止，一直纠缠着隧道电流的“创造性失败”获得了机遇女神的眷顾，摇身一变，成了“创造性成功”。

这一成果随即在1957年10月的日本物理学会年会上发表，完成的论文则刊登在1958年1月号的美国物理学会志上，成果就此问世。但对于这一发现，在日本除了极少数的一部分人之外，其意义并未立刻为大家所理解。最高兴的则要属齐纳本人，他甚至邀请我去他担任所长的西屋（Westinghouse）研究所工作。