我进入东京通信工业，就开始按计划着手进行半导体器件的基础研究——PN接触的一个问题，就是要把P型到N型的半导体接触面，或者说是把阻挡层尽量做薄，这是一项挑战极限的研究工作。如果能达到10纳米那么薄，就有可能观测到量子力学所说的隧道电流了。不纯物的浓度越高，接触面就会越薄。

另一方面，那阵子公司正在制造的高周波晶体管，不纯物浓度就很高。实际上，浓度越高，高周波的特性就越好。但是这种情况下，如果浓度过高，隧道电流一旦开始产生，晶体管的作用就会丧失。我由此判断，无论是立足科学的立场，还是立足技术的立场，突破隧道电流的极限都是最重要的课题。就这样，研究计划得以确立。

这种情况下，要在保证锗结晶高品质的同时提高不纯物浓度，做来相当不容易。结晶的质地如果下降，就无法获得理想的电气特性了。

经过了一年的艰苦奋战，经历了种种实验失败之后，“机遇女神”终于微笑着向我伸出了橄榄枝。